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【MBAChina網(wǎng)訊】近日，國家重點研發(fā)計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項2018年度項目立項名單公示結(jié)束，我校微電子研究中心主任駱建軍教授主持的“新型嵌入式阻變存儲器（RRAM）研究”項目獲得立項，這是我校作為主持單位獲得的首個千萬級國家重點研發(fā)項目。項目預(yù)算近4000萬元，獲得1700余萬中央財政經(jīng)費支持。

國家重點研發(fā)計劃由原國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃（973計劃）、國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（863計劃）、國家科技支撐計劃、國際科技合作與交流專項、產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究與開發(fā)基金和公益性行業(yè)科研專項等整合而成，是針對事關(guān)國計民生的重大社會公益性研究，以及事關(guān)產(chǎn)業(yè)核心競爭力、整體自主創(chuàng)新能力和國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、前瞻性重大科學(xué)問題、重大共性關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品，為國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展主要領(lǐng)域提供持續(xù)性的支撐和引領(lǐng)。

（圖為微電子研究中心開發(fā)成功的我國第一顆固態(tài)硬盤控制器芯片的顯微照片，在4mm*4mm的微小硅片上，集成了六個微處理器（CPU）和上億個晶體管）

“新型嵌入式阻變存儲器（RRAM）研究”由我校微電子研究中心駱建軍教授團(tuán)隊牽頭組織，中科院微電子所積極支持，聯(lián)合我校產(chǎn)學(xué)研合作基地杭州華瀾微電子有限公司、中電58所、西安電子科技大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、無錫中微高科電子有限公司、無錫中微騰芯電子有限公司共同參與，擬在新型半導(dǎo)體存儲器件——阻變存儲器（RRAM）方面取得突破性進(jìn)展，并打通從實驗室到產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

當(dāng)前，嵌入式處理器（CPU）普遍使用NOR FLASH(或型閃存)作為存放程序代碼和數(shù)據(jù)的倉庫，但在工藝進(jìn)步到40nm(納米)、28nm甚至14nm以下的情況下，F(xiàn)LASH無法兼顧和CPU邏輯電路工藝兼容而且可靠地進(jìn)一步縮小尺寸，全世界都在研究新型存儲器件，阻變存儲器(RRAM)就是其中一種。

RRAM利用特種材料的電阻記憶特性來實現(xiàn)數(shù)據(jù)保存，國外已開始工業(yè)化批量生產(chǎn)的嘗試，而國內(nèi)尚處于實驗室階段。中科院劉明院士團(tuán)隊在RRAM器件結(jié)構(gòu)方面創(chuàng)新成果突出，我校微電子研究中心則在片上系統(tǒng)芯片（SOC）、算法等方面經(jīng)驗豐富，該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，研發(fā)出可靠、可重復(fù)利用的知識產(chǎn)權(quán)（IP）核，并通過摸索半導(dǎo)體工藝、應(yīng)用各種算法、封裝測試技術(shù)來提高穩(wěn)定性、可靠性，從而把我國新型儲存器RRAM技術(shù)推進(jìn)到國際前沿水平。

微電子研究中心團(tuán)隊是我校第一個浙江省領(lǐng)軍型創(chuàng)新團(tuán)隊，設(shè)計了我國第一顆固態(tài)硬盤（SSD）集成電路控制器芯片并成功產(chǎn)業(yè)化，獲得浙江省科技進(jìn)步一等獎。中心開創(chuàng)者、我國著名半導(dǎo)體專家鄧先燦教授表示：“集成電路芯片是電子信息系統(tǒng)的心臟；存儲器芯片好比數(shù)據(jù)的倉庫，存儲控制器芯片是倉庫的看門人；我們正在努力打造‘中國芯’，實現(xiàn)‘把中國人的信息存放在中國人自己的硬盤中’的夢想。”